上海交大黃興溢教授團(tuán)隊(duì) Nature：在聚合物電工絕緣材料領(lǐng)域取得新進(jìn)展

2023-03-02 來(lái)源：高分子科技

關(guān)鍵詞：聚合物電介質(zhì)薄膜絕緣聚合物耐高溫本征高導(dǎo)熱循環(huán)穩(wěn)定性

2023年3月2日（北京時(shí)間），上海交通大學(xué)黃興溢教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合賓夕法尼亞州立大學(xué)王慶教授團(tuán)隊(duì)在聚合物電工絕緣材料研究領(lǐng)域取得重大突破，相關(guān)成果以“Ladderphane copolymers for high temperature capacitive energy storage”為題發(fā)表在Nature上。聚合物是一類重要的電工絕緣材料，然而聚合物材料的導(dǎo)熱性普遍性較差，提升聚合物的導(dǎo)熱性往往以犧牲絕緣性能為代價(jià)，“絕緣和導(dǎo)熱的互為矛盾”是制約聚合物材料在先端電氣電子裝備發(fā)展的瓶頸問(wèn)題之一。通過(guò)等規(guī)鏈段層狀排列構(gòu)建陣列化納米區(qū)域，并在陣列化納米區(qū)域中引入親電陷阱基團(tuán)，在大幅提升柔性聚合物電介質(zhì)薄膜導(dǎo)熱性能的基礎(chǔ)上使電阻率提升了一個(gè)數(shù)量級(jí)，解決了導(dǎo)熱和絕緣的矛盾。聚合物電介質(zhì)薄膜厚度方向的本征導(dǎo)熱系數(shù)為1.96 ± 0.06 W/(mK)，是目前報(bào)道的絕緣聚合物本征導(dǎo)熱系數(shù)的最高值。聚合物電介質(zhì)薄膜在200 ^oC、90%效率下的放電能量密度為5.34 J/cm³，在50000次充-放電循環(huán)后儲(chǔ)能性依然穩(wěn)定，且具有良好擊穿自愈性，在電磁能裝備、新能源汽車、電力電子等領(lǐng)域極具應(yīng)用前景。黃興溢教授和王慶教授為通訊作者，陳杰助理研究員、周垚博士和黃興溢教授為共同第一作者，上海交通大學(xué)為論文的第一完成單位。黃興溢教授和陳杰博士申請(qǐng)的相關(guān)發(fā)明專利已獲得授權(quán)。

Nature在線發(fā)表黃興溢教授課題組的研究成果

聚合物電介質(zhì)薄膜電容器具有極高的能量轉(zhuǎn)換速率，在電磁能裝備、電力電子以及新能源裝備等領(lǐng)域的作用至關(guān)重要。隨著裝備、器件往緊湊化、輕量化、工作環(huán)境極端化方向發(fā)展，對(duì)聚合物電介質(zhì)薄膜的儲(chǔ)能密度以及耐高溫性能的要求越來(lái)越高。電荷存儲(chǔ)密度和電場(chǎng)強(qiáng)度的平方成正比，因此，電介質(zhì)薄膜承受的電場(chǎng)增加，電荷存儲(chǔ)密度則會(huì)快速增加。然而，聚合物薄膜在高電場(chǎng)下以電子電導(dǎo)為主，不再符合歐姆定律，電導(dǎo)電流隨電場(chǎng)強(qiáng)度增加呈指數(shù)增大，會(huì)產(chǎn)生大量的焦耳熱。傳統(tǒng)聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)普遍較低（< 0.2 W/(mK)），散熱效率很低，會(huì)造成介質(zhì)溫度快速升高，進(jìn)而引起電導(dǎo)指數(shù)增加、耐電強(qiáng)度急速降低等連鎖反應(yīng)，從而造成器件、裝備失效等嚴(yán)重問(wèn)題，在高溫下工作的器件裝備散熱問(wèn)題尤其提出。盡管可以通過(guò)引入納米添加等方式增加聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)，但這往往以犧牲耐電強(qiáng)度為代價(jià)，更重要的納米添加給薄膜制造工藝帶來(lái)極大挑戰(zhàn)。因此，開(kāi)發(fā)耐高溫、本征高導(dǎo)熱的聚合物電介質(zhì)薄膜是最好選擇。

黃興溢團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種含氟缺陷的雙鏈結(jié)構(gòu)共聚物PSBNP-co-PTNI，該共聚物通過(guò)π-π堆疊作用自組裝成高度有序陣列。通過(guò)偏振拉曼光譜測(cè)試發(fā)現(xiàn)，共聚物薄膜的偏振信號(hào)在平面上呈各向同性，在斷裂面上呈各向異性，表明有序陣列平行于表面，因此，電介質(zhì)薄膜在垂直平面方向表現(xiàn)出1.96 ± 0.06 W/(mK)的高導(dǎo)熱系數(shù)。

圖1雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)薄膜的分子結(jié)構(gòu)和自組裝形貌

密度泛函理論分析和熱刺激電流實(shí)驗(yàn)表明，PSBNP和PTNI嵌段間存在深度為1.51 eV的電荷陷阱，且隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度增加，電荷陷阱深度進(jìn)一步增大。在PSBNP有序陣列中引入2 mol%的PTNI分子，共聚物PSBNP-co-PTNI_0.02表現(xiàn)出最優(yōu)的電氣絕緣性和最高的電擊穿強(qiáng)度。

圖2雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)的導(dǎo)電性和電擊穿強(qiáng)度

電極化儲(chǔ)能測(cè)試表明，PSBNP-co-PTNI_0.02在150 ^oC和200 ^oC下最大放電能量密度分別為10.42 J/cm³和8.37 J/cm³，90%效率下的放電能量密度分別為6.18 J/cm³和5.34 J/cm³，遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的聚合物及其復(fù)合電介質(zhì)薄膜。

圖3雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)的靜電儲(chǔ)能性

采用紅外相機(jī)直觀地研究了200 ^oC、300 MV/m下PSBNP-co-PTNI_0.02和聚醚酰亞胺（PEI，已知最好的商品耐高溫聚合物電介質(zhì)薄膜）的連續(xù)充-放電循環(huán)過(guò)程中的發(fā)熱現(xiàn)象，在高導(dǎo)熱的PSBNP-co-PTNI_0.02薄膜中未觀察到局部熱積聚現(xiàn)象，而低導(dǎo)熱的PEI膜則出現(xiàn)了明顯的局部熱積聚。研究團(tuán)隊(duì)模擬電介質(zhì)薄膜電容器芯子的熱場(chǎng)分布，發(fā)現(xiàn)PSBNP-co-PTNI_0.02薄膜電容芯子的中心溫度遠(yuǎn)低于PEI薄膜電容芯子，充-放電循環(huán)更加穩(wěn)定，實(shí)驗(yàn)也證明PSBNP-co-PTNI_0.02薄膜連續(xù)充-放電循環(huán)壽命是PEI薄膜的6倍。

值得一提的是，PSBNP-co-PTNI_0.02的碳含量相對(duì)較低，這賦予了其優(yōu)異的自愈性，電鏡圖像清晰顯示了電擊穿區(qū)域四周的鋁金屬電極被蒸發(fā)除去，碳化通道孤立于金屬電極，是擊穿后的金屬化聚合物薄膜整體仍保持高絕緣性。自愈后的儲(chǔ)能性沒(méi)有出現(xiàn)明顯劣化，仍能進(jìn)行10000次的連續(xù)充-放電循環(huán)。

圖4雙鏈結(jié)構(gòu)聚合物電介質(zhì)的循環(huán)穩(wěn)定性和自愈性

這一研究是電氣工程、化學(xué)、材料、工程熱物理等多學(xué)科的深度交叉融合。上海交通大學(xué)江平開(kāi)教授、朱新遠(yuǎn)教授、于春陽(yáng)副研究員、錢(qián)小石教授、鮑華教授、西安交大李盛濤教授和西南交大吳廣寧教授等也參與了本項(xiàng)研究。研究獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金（51877132, 52003153, U19A20105, 51522703, 52103303）、上海市優(yōu)秀學(xué)術(shù)帶頭人計(jì)劃（21XD1401600）、電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金（EIPE20203, EIPE21206）等的資助。

原文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41586-022-05671-4

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（責(zé)任編輯：xu）

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